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你的位置:主頁 >> 半導體光電子器件>>光耦合器>>可控硅輸出型光耦
圖片 商品型號 制造商 描述 關鍵參數
HSCR-0223D 華聯

可控硅輸出型光耦

數據手冊

封裝形式:DIP8

斷態峰值電壓:600V

通態有效電流:0.3A

觸發類型:非過零型

斷態臨界電壓上升率:≥200

工作溫度:-30~85℃

介質耐壓:5000

HSCR-0223P 華聯

可控硅輸出型光耦

數據手冊

封裝形式:SOP8

斷態峰值電壓:600V

通態有效電流:0.3A

觸發類型:非過零型

斷態臨界電壓上升率:≥200

工作溫度:-30~85℃

介質耐壓:5000

HSCR-1223D 華聯

可控硅輸出型光耦

數據手冊

封裝形式:DIP8

斷態峰值電壓:600V

通態有效電流:0.6A

觸發類型:非過零型

斷態臨界電壓上升率:≥200

工作溫度:-30~85℃

介質耐壓:5000

HSCR-1223P 華聯

可控硅輸出型光耦

數據手冊

封裝形式:SOP8

斷態峰值電壓:600V

通態有效電流:0.6A

觸發類型:非過零型

斷態臨界電壓上升率:≥200

工作溫度:-30~85℃

介質耐壓:5000

HSCR-2223D 華聯

可控硅輸出型光耦

數據手冊

封裝形式:DIP8

斷態峰值電壓:600V

通態有效電流:0.9A

觸發類型:非過零型

斷態臨界電壓上升率:≥200

工作溫度:-30~85℃

介質耐壓:5000

HSCR-2223P 華聯

可控硅輸出型光耦

數據手冊

封裝形式:SOP8

斷態峰值電壓:600V

通態有效電流:0.9A

觸發類型:非過零型

斷態臨界電壓上升率:≥200

工作溫度:-30~85℃

介質耐壓:5000

HSCR-3223D 華聯

可控硅輸出型光耦

數據手冊

封裝形式:DIP8

斷態峰值電壓:600V

通態有效電流:1.2A

觸發類型:非過零型

斷態臨界電壓上升率:≥200

工作溫度:-30~85℃

介質耐壓:5000

HSCR-3223P 華聯

可控硅輸出型光耦

數據手冊

封裝形式:SOP8

斷態峰值電壓:600V

通態有效電流:1.2A

觸發類型:過零型

斷態臨界電壓上升率:≥200

工作溫度:-30~85℃

介質耐壓:5000

HSCR-0213D 華聯

可控硅輸出型光耦

數據手冊

封裝形式:DIP8

斷態峰值電壓:600V

通態有效電流:0.3A

觸發類型:過零型

斷態臨界電壓上升率:≥200

工作溫度:-30~85℃

介質耐壓:5000

HSCR-0213P 華聯

可控硅輸出型光耦

數據手冊

封裝形式:SOP8

斷態峰值電壓:600V

通態有效電流:0.3A

觸發類型:過零型

斷態臨界電壓上升率:≥200

工作溫度:-30~85℃

介質耐壓:5000

HSCR-1213D 華聯

可控硅輸出型光耦

數據手冊

封裝形式:DIP8

斷態峰值電壓:600V

通態有效電流:0.6A

觸發類型:過零型

斷態臨界電壓上升率:≥200

工作溫度:-30~85℃

介質耐壓:5000

HSCR-1213P 華聯

可控硅輸出型光耦

數據手冊

封裝形式:SOP8

斷態峰值電壓:600V

通態有效電流:0.6A

觸發類型:過零型

斷態臨界電壓上升率:≥200

工作溫度:-30~85℃

介質耐壓:5000

HSCR-2213D 華聯

可控硅輸出型光耦

數據手冊

封裝形式:DIP8

斷態峰值電壓:600V

通態有效電流:0.9A

觸發類型:過零型

斷態臨界電壓上升率:≥200

工作溫度:-30~85℃

介質耐壓:5000

HSCR-2213P 華聯

可控硅輸出型光耦

數據手冊

封裝形式:SOP8

斷態峰值電壓:600V

通態有效電流:0.9A

觸發類型:過零型

斷態臨界電壓上升率:≥200

工作溫度:-30~85℃

介質耐壓:5000

HSCR-3213D 華聯

可控硅輸出型光耦

數據手冊

封裝形式:DIP8

斷態峰值電壓:600V

通態有效電流:1.2A

觸發類型:過零型

斷態臨界電壓上升率:≥200

工作溫度:-30~85℃

介質耐壓:5000

HSCR-3213P 華聯

可控硅輸出型光耦

數據手冊

封裝形式:SOP8

斷態峰值電壓:600V

通態有效電流:1.2A

觸發類型:過零型

斷態臨界電壓上升率:≥200

工作溫度:-30~85℃

介質耐壓:5000

HPC3022-2 華聯

雙向晶閘管輸出型光耦

封裝形式:SOP6

斷態峰值電壓:400V

通態有效電流:0.1A

LED觸發電流:10mA

觸發類型:非過零型

斷態臨界電壓上升率:1000V/μs

工作溫度:-40~85℃

介質耐壓:5000Vrms

HPC3022-3 華聯

雙向晶閘管輸出型光耦

封裝形式:DIP6

斷態峰值電壓:400V

通態有效電流:0.1A

LED觸發電流:10mA

觸發類型:非過零型

斷態臨界電壓上升率:1000V/μs

工作溫度:-40~85℃

介質耐壓:5000Vrms

HPC3023-2 華聯

雙向晶閘管輸出型光耦

封裝形式:SOP6

斷態峰值電壓:400V

通態有效電流:0.1A

LED觸發電流:5mA

觸發類型:非過零型

斷態臨界電壓上升率:1000V/μs

工作溫度:-40~85℃

介質耐壓:5000Vrms

華聯

雙向晶閘管輸出型光耦

封裝形式:DIP6

斷態峰值電壓:400V

通態有效電流:0.1A

LED觸發電流:5mA

觸發類型:非過零型

斷態臨界電壓上升率:1000V/μs

工作溫度:-40~85℃

介質耐壓:5000Vrms

HPC3052-2 華聯

雙向晶閘管輸出型光耦

封裝形式:SOP6

斷態峰值電壓:600V

通態有效電流:0.1A

LED觸發電流:10mA

觸發類型:非過零型

斷態臨界電壓上升率:1000V/μs

工作溫度:-40~85℃

介質耐壓:5000Vrms

HPC3052-3 華聯

雙向晶閘管輸出型光耦

封裝形式:DIP6

斷態峰值電壓:600V

通態有效電流:0.1A

LED觸發電流:10mA

觸發類型:非過零型

斷態臨界電壓上升率:1000V/μs

工作溫度:-40~85℃

介質耐壓:5000Vrms

HPC3053-2 華聯

雙向晶閘管輸出型光耦

封裝形式:SOP6

斷態峰值電壓:600V

通態有效電流:0.1A

LED觸發電流:5mA

觸發類型:非過零型

斷態臨界電壓上升率:1000V/μs

工作溫度:-40~85℃

介質耐壓:5000Vrms

HPC3053-3 華聯

雙向晶閘管輸出型光耦

封裝形式:DIP6

斷態峰值電壓:600V

通態有效電流:0.1A

LED觸發電流:5mA

觸發類型:非過零型

斷態臨界電壓上升率:1000V/μs

工作溫度:-40~85℃

介質耐壓:5000Vrms

HPC3062-2 華聯

雙向晶閘管輸出型光耦

封裝形式:SOP6

斷態峰值電壓:600V

通態有效電流:0.1A

LED觸發電流:10mA

觸發類型:過零型

斷態臨界電壓上升率:1000V/μs

工作溫度:-40~85℃

介質耐壓:5000Vrms

HPC3062-3 華聯

雙向晶閘管輸出型光耦

封裝形式:DIP6

斷態峰值電壓:600V

通態有效電流:0.1A

LED觸發電流:10mA

觸發類型:過零型

斷態臨界電壓上升率:1000V/μs

工作溫度:-40~85℃

介質耐壓:5000Vrms

HPC3063-2 華聯

雙向晶閘管輸出型光耦

封裝形式:SOP6

斷態峰值電壓:600V

通態有效電流:0.1A

LED觸發電流:5mA

觸發類型:過零型

斷態臨界電壓上升率:1000V/μs

工作溫度:-40~85℃

介質耐壓:5000Vrms

HPC3063-3 華聯

雙向晶閘管輸出型光耦

封裝形式:DIP6

斷態峰值電壓:600V

通態有效電流:0.1A

LED觸發電流:5mA

觸發類型:過零型

斷態臨界電壓上升率:1000V/μs

工作溫度:-40~85℃

介質耐壓:5000Vrms

 

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